Professor Fan Fengjia fra School of Physics ved University of Science and Technology of China og professor Shen Huabin fra Henan University arbejdede sammen om at bruge EETA-teknologi til at studere de centrale videnskabelige problemstillinger vedrørende kvantepunktslysdioder baseret på grøn indiumphosphid i dybden.
De opnåede med succes en maksimal ekstern kvanteeffektivitet (EQE) på 26,68 % for grønne indiumphosphid-baserede kvantepunkt-LED'er, en lysstyrke på over 270.000 cd/m2 og en T95-levetid (lysstyrken falder til 95 % af startværdien) på 1.241 timer ved en initial lysstyrke på 1.000 cd/m2, hvilket satte en ny verdensrekord.
Princippet for elektrisk exciteret transient absorption og centrale videnskabelige problemstillinger vedrørende indiumphosphidbaserede kvantepunkt-LED'er
Den seneste forskning fra professor Fan Fengjia og hans forskerteam viser, at hovedårsagen til den lave ydeevne af nuværende grønne indiumphosphid-baserede kvantepunkt-LED'er er utilstrækkelig elektroninjektion og alvorlig elektronlækage.
Med dette formål foreslog forskerholdet et design med lav og bred barriere, der ikke blot forbedrede elektroninjektionseffektiviteten, men også effektivt undertrykte lækagefænomenet. Gennem denne optimering satte forskerholdet en ny verdensrekord.
De relevante forskningsresultater blev offentliggjort i tidsskriftet Nature under titlen " "Efficient green InP-based QD-LED by controlling electron injection and leakage"", hvilket markerer et vigtigt fremskridt inden for giftfri kvantepunkt-LED-teknologi.
